半導体メモリー大手の米マイクロン・テクノロジーは10日、データの保存に使われるNAND型フラッシュメモリーで、最新型の「176層」を開発したと発表した。フラッシュメモリーでは記憶素子を積み重ねて記憶容量を増やす「3次元化」を各社が競っている。176層の開発は世界初で、競合他社から一歩進んだ格好だ。
高速通信規格「5G」の本格普及でデータの通信量や処理量が急増することが見込まれる。同社は最新のメモリーが自動車やデータセンター向けなどでの利用を見込む。
開発した176層のメモリーは、データの読み書き速度が同社の既存製品に比べて約35%向上する。半導体チップのサイズも独自技術を組み合わせ、競合製品に比べ3割程度小さくできたという。
フラッシュメモリーを巡っては、韓国サムスン電子やSKハイニックスが「128層」を手掛け、中国半導体大手、紫光集団傘下の長江存儲科技（長江メモリー・テクノロジーズ、YMTC）は4月に128層の開発に成功したと発表した。
国内大手のキオクシア（旧東芝メモリ）は米ウエスタンデジタルと共同開発した「112層」の製品をサンプル出荷している。（広井洋一郎）
2020/11/10 17:16
日本経済新聞
https://www.nikkei.com/article/DGXMZO66046980Q0A111C2X20000/
高速通信規格「5G」の本格普及でデータの通信量や処理量が急増することが見込まれる。同社は最新のメモリーが自動車やデータセンター向けなどでの利用を見込む。
開発した176層のメモリーは、データの読み書き速度が同社の既存製品に比べて約35%向上する。半導体チップのサイズも独自技術を組み合わせ、競合製品に比べ3割程度小さくできたという。
フラッシュメモリーを巡っては、韓国サムスン電子やSKハイニックスが「128層」を手掛け、中国半導体大手、紫光集団傘下の長江存儲科技（長江メモリー・テクノロジーズ、YMTC）は4月に128層の開発に成功したと発表した。
国内大手のキオクシア（旧東芝メモリ）は米ウエスタンデジタルと共同開発した「112層」の製品をサンプル出荷している。（広井洋一郎）
2020/11/10 17:16
日本経済新聞
https://www.nikkei.com/article/DGXMZO66046980Q0A111C2X20000/
